發展曆史
Development History
在江蘇省重大成果轉化項目（2007年）、國家自然科學基金委項目、科技部863項目和重點研發計劃、發改委產(chan) 業(ye) 化示範項目以及國家和省市各級領軍(jun) 人才項目等的支持下，依托中科院蘇州納米所研究平台，蘇州九游会·(j9)官方在氮化镓單晶材料生長與(yu) 產(chan) 業(ye) 化技術上持續深耕，取得係列創新突破，目前可以批量提供2~4英寸氮化镓單晶標準襯底，並可以為(wei) 客戶定製特定尺寸和規格的單晶襯底。
致力於(yu) 氮化镓單晶材料的生長技術和裝備研發，銳意進取，發展新方法、突破新技術，做全球氮化镓單晶技術的引領者，做氮化镓單晶襯底的最佳供應商，成長為(wei) 對全球新一代半導體(ti) 技術有卓越貢獻的中國企業(ye) 。
5×5mm²
Ø 2 inch位錯密度10⁶cm⁻²。
Ø 2 inch量產(chan) 中試，位錯密度10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch實現量產(chan) ，Ø 4 inch樣品。 研發水平位錯密度10⁴cm⁻²。
Ø 4 inch量產(chan) 技術，Ø 6inch關(guan) 鍵技術。 研發水平位錯密度10³cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量產(chan) ，Ø 4 inch 小批量供貨，Ø 7 inch 樣品研發。 位錯密度：研發水平10³cm⁻²，量產(chan) 水平10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch 規模量產(chan) ，Ø 4 inch 量產(chan) 能力，Ø 6 inch 批量供貨，Ø 8 inch 量產(chan) 技術 位錯密度：研發水平10²cm⁻²，量產(chan) 水平10⁴cm⁻²。
Ø 2~8 inch量產(chan) 技術 全麵支撐：可見光激光器，先進微米LED，寬頻譜射頻器件，高效率電力電子，高可靠性功率器件，極低位錯密度電學性能領先。
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