徐科-蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司董事長（創始人）

徐科，男，1970年3月出生，中科院上海光學精密機械研究所獲得博士，中國國籍，蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司董事長、江蘇第三代半導體(ti) 研究院院長徐科。2008年入選省“高層次創新創業(ye) 人才引進計劃”，2007年入選姑蘇領軍(jun) 人才計劃。徐科博士自1996年以來一直從(cong) 事氮化物外延用襯底材料的晶體(ti) 生長，曾在非極性GaN的MOCVD生長方麵做出開創工作；闡明了極性對InN生長的特殊影響，是國際上最早發現InN窄帶隙的研究者之一。2004年歸國，在蘇州工業(ye) 園區創辦蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司，研發出2inch GaN單晶襯底係列產(chan) 品，GaN單晶襯底的研製成功和產(chan) 業(ye) 化對我國第三代半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 跨越發展以及國防領域的核心器件研製具有重要的戰略意義(yi) 。曾主持參加國家重點研究計劃、國家自然科學基金重點項目、江蘇省科技成果重大專(zhuan) 項項目、蘇州市姑蘇人才、蘇州工業(ye) 園區領軍(jun) 人才項目等20餘(yu) 項，在項目執行期間，入選科技部中青年領軍(jun) 科技人才；關(guan) 於(yu) 氮化镓單晶襯底的研究成果入選基金委信息學部十二五優(you) 秀成果匯編；入選科技部重大研發計劃戰略性新型電子材料專(zhuan) 家組成員並任第三代半導體(ti) 材料專(zhuan) 家組副組長；入選國家重大新材料與(yu) 應用工程專(zhuan) 家組並參與(yu) 編寫(xie) 第三代半導體(ti) 材料到2030年的發展規劃等。

王建峰-蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司總經理

1979年10月生，於(yu) 2001年、2006年先後獲得武漢大學學士和博士學位（與(yu) 中科院半導體(ti) 所聯合培養(yang) ），此後一直從(cong) 事GaN單晶襯底的製備及產(chan) 業(ye) 化開發。王建峰博士針對GaN生長裝備，創新的引入了在位光學監控係統，實現了生長速度和應力的實時監控，極大的推進了GaN材料研發；近5年以來，深入研究了GaN的HVPE生長機理和缺陷演化機製，采用周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間層方法，獲得了無裂紋、高質量GaN材料，性能達到目前同類方法公開報道的最好值(位錯密度<10⁵cm²，室溫電子遷移率1100cm²/V·s)；利用摻雜技術，實現了2英寸非摻、N型摻雜和半絕緣補償(chang) 摻雜GaN單晶襯底的研製。近3年以來，初步實現了4英寸GaN單晶襯底的製備。作為(wei) 項目負責人和核心人員參加科技部863項目、國際合作項目、自然科學基金項目、中科院 STS 項目等10餘(yu) 項，申報相關(guan) 核心專(zhuan) 利20餘(yu) 項，在ICNS、APWS等重要國際會(hui) 議上做特邀報告5次。項目申請人曾榮獲中國產(chan) 學研促進性創新成果獎，中國科學院盧嘉錫青年人才獎，蘇州市勞動模範獎勵。